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【硬科技】西安半导体产业重点项目

【硬科技】西安半导体产业重点项目之三星存储芯片二期项目

硬科技】西安半导体产业重点项目之三星存储芯片二期项目

序号

项目名称 承担单位 项目简介 所在

区域

起止时间

总投资

1 三星存储芯片二期项目 三星(中国)半导体有限公司 三星电子存储芯片二期项目是在现有生产线的 基础上,增建一条12英寸闪存芯片生产线,专门进行闪存芯片的制造,建成后预计产能规模为一期的2倍。 高新区 2018-2019 70亿美元
2 NAND Flash存储器系列芯片研发 西安紫光国芯半导体有限公司 本项目产品基于已开发的2D NAND产品的设计数据,根据市场需求,设计开发工艺节点为24nm,容量覆盖2Gb和4Gb,可向下向上拓展为1Gb和8Gb,首选兼容SPI,ONFI1.0和三星产品接口定义,2D SLC/MLC兼容的NAND Flash存储器系列产品。 高新区 2018.03-

2019.12

5050万
3 应用于新能源汽车的功率模块产品设计及工艺化制造 西安芯派电子科技有限公司 本项目建设内容包括适合电动汽车应用的600V和1200V IGBT双面可焊的高性能沟槽栅 IGBT 模块,是目前电机控制的主IGBT模块,主要应用于 60 k W~100 k W 的电机控制器上。模块要求频率在4kHz – 10kHz范围内,环境温度结温大于等于175℃,能有效控制振动范围。 高新区 2018.01-

2020.12

3000万
4 西安新能源汽车动力控制研究中心有限公司 西安芯派电子科技有限公司 该项目针对国内新能源汽车供应链短板,涵盖新能源汽车动力驱动系统,车载及固定充电系统,电池保护及管理系统,集研发,应用,销售为一体的创新中心。由芯片到模块直至系统,打造新能源汽车动力系统完整的供应链体系,带动汽车配套级产品集群效应,促进产业快速,稳定发展。 高新区 2018.01-

2020.12

1亿
5 射频功放用包络追踪芯片 陕西亚成微电子股份有限公司 本项目针对高带宽终端射频功率放大器(PA)系统研制开发高性能的包络追踪射频功率放大器(PA)用芯片以及相关技术,该系统芯片的主要功能在于增进便携式终端系统发射器的效率,大幅降低功率放大器(PA)的体积,增加通信系统待机时间以及减少宽带通信时所耗费的大量功耗,同时可增加终端系统发射器发射信号的线性度,降低失真。 高新区 2017.12-

2019.12

2000万
6 高抗干扰触摸控制芯片项目(SH79F9261) 西安中颖电子有限公司 此产品是集成了高亮LED驱动的触控IC,做到高抗干扰性能。采用Flash 0.11um制程;内部集成32K ROM,12 Bit ADC的8051兼容的MCU, 其内部集成高亮LED驱动,20路触摸通道,通过10V传导抗干扰测试,抗干扰性能强。主要目标市场在煲类、料理机、冰箱面板、空调柜机等家电领域。 高新区 2017.08-

2019.06

300万
7 全球信号体制北斗卫星导航SOC芯片研发及产业化 西安航天华迅科技有限公司 该项目针对军用、行业应用和消费类三大市场,研制高性能、低功耗、低成本的新型信号体制涉及北斗B1、B2、B3全部频点的卫星导航SOC芯片。项目建设期3年,目前已完成投资500万元,主要用材料费,测试实验加工费及其他费用,计划新增投资1600万元。 高新区 2017.07-

2020.06

2100万
8 超宽带通讯射频芯片研发与产业化 西安航天华迅科技有限公司 该项目研制超带宽、高精度、高集成度通讯收发射频芯片,集成发射器接收器、测试和数字信号处理功能。芯片工作频率范围为70MHz至6GHz,支持最高50 MHz信号带宽,支持军用/民用广播电台、2G/3G/4G通信应用、GPS/北斗卫星导航、S/C波段卫星通信,尤其适合点对点之间语音图像视频通信。 高新区 2018.01-

2019.12

1600万
9 N沟道抗辐照功率MOSFET系列产品 西安卫光科技有限公司 该项目的主要技术难点在于实现抗单粒子烧毁能力,需要在设计和工艺制造环节投入较大的开发力度。通过该系列产品的研制,公司将完成2项专题研究、建立第4至第5代抗辐照功率MOSFET的设计、制造和测试技术平台,实现8个型号产品的批量生产,打破国外同类产品技

术垄断,为航天应用提供保障。

高新区 2018.03-

2019.12

1000万
10 第六代抗辐照功率MOSFET系列产品 西安卫光科技有限公司 该项目通过该系列产品的研制,将完成2项专题研究、建立第6代抗辐照功率MOSFET的设计、制造和测试技术平台,实现4个型号产品的批量生产,掌握槽栅技术的要点,打破国外技术垄断,实现国产化,为航天应用提供保障。 高新区 2018.06-

2019.12

600万
11 高性能存储器电源管理芯片研发 西安拓尔微电子有限责任公司 本项目是提升现有存储器电源管理芯片的ESD保护性能,提高芯片的可靠性、负载响应性,缩小体积,降低成本;研究超低待机技术,更好的应用于可穿戴电子器件、移动终端等。芯片ESD指标可达10000~12000V;高频内部时钟可达3M ~10M;采用优化的芯片电路结构,超小封装以及先进工艺实现;待机功率<5uA。 高新区 2018-2021 1000万
12 高端集成电路测试研究 西安太乙电子有限公司 本项目研究高性能大容量存储器、高性能异构计算处理器、高速高密度数模混合等高端集成电路测试技术和方法;研究大引脚、高速、先进晶圆测试探针的结构和设计技术;建立2048通道、10Gbps速率的高端混合信号集成电路测试技术能力,容量128G以内,包括FLASH、DDR3、

固态存储器等。

高新区 2018-2021 2000万
13 面板控制器芯片项目 西安宏祐图像科技有限 本项目为HD/FHD/UHD 60P Panel Timing Controller(面板时序控制器)的研究、开发、量产 高新区 2014-

2017.06

856.01万
14 集成电路芯片试制平台建设和关键领域人才培养 西安集成电路设计专业孵化器有限公司 本项目研究培养面向集成电路产业领域的企业、高校和研究所的人才培养体系。开发集成电路设计数字、模拟、数模混合、SOC设计、验证和测试等工程化培训教材。面向生产型企业,提供工程化设备和环境,为企业的专业技术工人培训和人力资源服务。加强产学研合作,提高本地基础人才向工程化人才转化率,与本地高校共同实施校企合作培训。 高新区 2018-2021 2000万
15 智能集成功率器件开发及产业化 西安锴威半导体有限公司 本项目主要围绕工业控制用 MOSFET 及针 对低待机功耗高转换效率的开关电源所用智能 SmartMOSFET 开展研究。结合 西安卫光 6 寸线的制造能力,开发工艺制程及产品产业化生产与市场推广。 实现 SmartMOS 产品的产业化 高新区 2017.01-

2018.12

100万
 16 海豹(SEAL)5000系列FPGA 西安智多晶微电子有限公司 公司通过独立研发的方式,基于原有的海狮(SEALION)2000系列的FPGA基础上开发的高端FPGA产品。较原型号产品能够实现更多功能,拥有更多逻辑资源。 高新区 2015.03-

2018

580万
17 陕西省集成电路测试分析公共服务平台 西安西谷微电子有限责任公司 该项目为突破高速混合信号集成电路测试分析技术难题,建成具备混合信号和模拟集成电路的全功能、全系列的测试分析能力。项目完成后,该公共服务平台成为国内集成电路的测试分析基地,填补国内空白。 高新区 2017.08-

2019.07

3170万
18 模拟舵机驱动芯片项目 西安茂芯集成电路技术有限公司 本项目模拟舵机驱动芯片,内置H桥驱动。输入信号为可变脉宽时钟,输入信号周期20ms,输入脉宽0.5-2.5ms。输出驱动能力大于0.6A。 高新区 2018.05-

2018.08

150万
19 新一代高压超结MOSFET器件研发及产业化 龙腾半导体有限公司 本项目研发新一代550V∽900V/1A∽70A系列产品。建设年产8000万只新一代高压超结MOSFET生产能力的检测线;建设可靠性工程中心及实验室;完成现有厂房防静电、空气净化、安全用电等改建。保证相同BV的前提下,使单位面积导电阻Rsp与平面MOSFET相比降低了5倍以上。各项性能指标达到国际先进水平。项目完成后,每年可实现营业收入9280万元。 经开区 2017.10-

2019.10

6828万
20 高可靠性大功率IGBT芯片及模块产品研发 龙腾半导体有限公司 本项目将通过开展新一代沟槽栅FS型高速IGBT芯片设计、大功率模块封装设计,实施晶圆减薄、背金、大功率模块封装、检测试验、应用等产业环节关键技术攻关,建立大功率IGBT芯片设计、制造和检测等三个平台。实现600V~1200V/20A~500A级大功率IGBT器件产业化大批量生产。 经开区 2018.01-

2020.12

3312万
21 FCLGA集成电路封装扩大规模 华天科技(西安)有限公司 本项目新建集成电路封装测试3号厂房及配套设施8.12万m2,其中生产厂房占地21.2亩,建筑面积56449 m2(地下建筑14245 m2,地上42204 m2);单身公寓占地1.97亩,建筑面积23580 m2(地下1310 m2,地上22270 m2); 110KV供配电站占地0.94亩,建筑面积为1126m2,装机容量4万KW。在充分利用公司现有生产设备的基础上,引进国际先进的集成电路封装测试设备148台(套),为公司年新增FCLGA等系列集成电路封装测试能力3亿只。 经开区 2017.12-

2019.12

48500万
22 射频集成电路封装扩大规模 华天科技(西安)有限公司 本项目通过改造1000 m2的生产配套基础设施,利用公司现有生产设备,引进国际先进的集成电路封装测试设备338台(套),购置国内生产设备和工装夹具261台(套),以及动力设备14台(套),建设具有国际先进水平的4G射频系统级封装生产线。 经开区 2018.02-

2019.12

49650万
23 面向新一代无线通信的毫米波宽带功率放大器芯片研发 西安博瑞集信电子科技有限公司 本项目包括研究毫米波晶体管测量去嵌入技术与大信号模型研究和毫米波功率放大器片上功率合成技术研究。本项目以承担单位在毫米波大功率器件建模、高效率片上功率合成等方面的核心技术为支撑,通过与联合单位合作研制适用于5G终端的高效率宽带高频功率放大器芯片,并为产业化做好充分准备。根据全球5G系统标准化工作进度和我国在5G领域的发展计划,本项目总体目标为研发面向新一代无线通信系统应用的毫米波宽带功率放大器芯片样片。 高新区 2018-2020 3000万
24 面向软件无线电的可配置无线收发机芯片研发 西安博瑞集信电子科技有限公司 本项目研发的高性能宽带无线收发芯片是一款频率接收发射范围在100MHz~6GHz的高性能SDR芯片,是一款覆盖多数无线通信(Wi-Fi,LTE,CDMA,GSM等)应用的高性能、高集成度的射频(RF)Agile Transceiver捷变收发器。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。SDR芯片工作频率范围为100MHz至6.0GHz,涵盖大部分特许执照和免执照频段,支持的通道带宽范围为200kHz至56MHz。研究内容有:1.对微波CMOS功率放大器增益和输出功率问题系统分析;2.开展CMOS微波放大器增益增强技术研究;3. 开展噪声抵消技术研究。解决传统噪声低消技术在应用于微波低噪声放大器设计时存在的问题。 高新区 2018-2020 3000万
25 大尺寸GaN外延片规模化制备技术研发 陕西半导体先导技术中心有限公司 针对5G通讯等新兴行业对GaN大功率微波器件和外延片和紫外LED外延片快速增长的迫切需求,开展4英寸大尺寸GaN外延片规模化制备技术研究,突破低缺陷密度生长、精确可控掺杂、复杂多量子阱调控、新型异质结构设计、应力匹配生6长等关键技术,实现低翘曲度、高结晶质量的大尺寸微波功率器件GaN外延片和紫外发光GaN外延片的产业化。 雁塔区 2018-2020 100万
26 GaN基微波毫米波射频功率器件量产工艺研究 陕西半导体先导技术中心有限公司 研究5G通信基站用微波功率器件外延材料生长技术、大栅宽细栅长器件工艺技术、高效率高压器件结构以及产业化技术。 雁塔区 2018-2020 100万
27 高精度高速ADC 西安欣创电子技术有限公司 高性能的ADC/DAC对5G通信,以及大数据、短距离互联通讯等领域有着重要意义。另外,在军用领域,超高速ADC/DAC是雷达、信号侦测、调频通信系统中的核心器件。 本项目12位GHz采样速率的高速高精度数模转换器可实现高速数字直采,为无线通信提供更大动态,更宽带宽,更高质量的数字化信号,同时也带来更多信号处理的灵活性。高速数字化是无线通信发展的一大趋势。 高新区 2018.06-

2020.06

2000万
28 16节串联锂电池监控芯片 西安航天民芯科技有限公司 该芯片可支持16节串联锂电池的电池电压、温度和电流等信息进行监控,通过I2C或SPI总线协议与主控制器进行通讯,同时内部集成EEPROM,用于存储电池电压过压、欠压、过流、短路和高低温保护等阈值信息,以及延迟保护时间,集成了多功能保护机制,为串联锂电池提供良好的保护和工作环境。 高新区 2018.01-

2019.12

200万
29 面向工业应用的12英寸电子级硅单晶炉研制 西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心 本项目将研究磁控条件下(MCZ)大尺寸电子级硅单晶炉的优化设计、制造技术和生长工艺。研发与高场强磁体匹配的硅单晶炉设计与制造技术;研发基于网络技术的符合强磁场工作环境高效、智能、安全晶体生长控制系统;研发适用于高品质半导体级硅单晶生长工艺。完成上述关键技术与工艺的样机制造及中试并具备产业化条件,为我省集成电路产业发展提供支撑和技术保障。 碑林区 2018.06-

2021.06

1500万
30 XAD9001 车载仪表图形处理显示芯片 西安恩狄集成电路有限公司 采用32位MCU+GPU的设计思路,自主设计的核心显示芯片。从硬件逻辑到嵌入式图形处理,到网络终端开发都做了全定制设计。支持射频拍摄,可作为车辆停车辅助系统和安全监控系统,满足不同用户的需求。 雁塔区 2016.02-

2018.12

500万
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