随着SiC产业的迅猛发展，衬底技术的突破与大尺寸化过程在沉塑全球市场格局。5月12日，南宫NG28机电子公司浙江晶瑞电子资料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶成长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量无缺。这不仅标志取南宫NG28机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控，更为我国SiC产业链的自主化发展提供了强有力的技术支持。

▲ 首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

SiC作为第三代半导体资料的代表，拥有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率蹬着异个性，是造作高压、高温、高频功率器件的梦想资料。但大尺寸SiC晶体的造备一向是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为6-8英寸衬底。浙江晶瑞SuperSiC基于自主研发的SiC单晶成长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体成长温场设计及气相原料散布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体成长中的温场不均、晶体开裂等主题难题，实现了12英寸超大尺寸晶体成长的沉要突破。

▲ 首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

浙江晶瑞SuperSiC这次成功研造出12英寸SiC晶体，大幅度提升晶圆的有效可用面积，急剧降低芯片单元成本，是南宫NG28机电正式迈入超大尺寸SiC衬底新时期的沉要标志，将进一步加快我国SiC产业链的美满，为国产SiC资料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等行业的急剧规；锰峁┛赡。

浙江晶瑞SuperSiC作为南宫NG28机电子公司，始终专一于碳化硅和蓝宝石抛光片等化合物半导体资料的研发与出产。目前，公司自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现批量出产。

▲ 8英寸碳化硅衬底量产

南宫NG28机电这次12英寸导电型SiC晶体的成功突破，不仅是公司研发实力的有力证明，更是我国半导体产业在关键基础资料领域实现从“追赶者”转向“领跑”的沉要推手。南宫NG28将持续对峙“先进资料，先进设备”的发展战术，以自主创新为内核、以产业协同为纽带、以绿色发展为坐标，在化合物半导体资料领域持续发力，助力我国半导体产业向全球价值链高端跃迁。