近日，南宫NG28机电在碳化硅（SiC）主题设备领域获得沉大突破，12英寸单片式碳化硅表延成长设备顺利交付全球头部SiC表延晶片出产商瀚天天成
。这一沉大技术突破将有力推动碳化硅产业链向更大尺寸、更高效能、更低成本方向演进，为我国在全球宽禁带半导体领域的自主可控与产业升级注入强劲动力
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▲ 12英寸单片式碳化硅表延成长设备团队合影

SiC作为第三代半导体的主题资料，在新能源汽车、5G通讯设备、AI数据中心等高压高温利用场景中拥有不成代替的优势，而大尺寸表延设备及衬底的成熟造备正是降低成本并推动其大规模贸易化利用的关键
。从6英寸到8英寸再到如今12英寸SiC表延成长设备的成功研发，南宫NG28机电不仅实现了设备技术上的陆续逾越，并且其子公司浙江晶瑞SuperSiC在6-12英寸碳化硅衬底技术上，也走在行业前列，成为我国在战术性新兴产业竞争中赢得市场先机的壮大推动力
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这次研发的12英寸单片式SiC表延设备可兼容8、12英寸SiC表延出产，其独创的垂直分流进气规划，实现了晶圆表表温度高精度关环节造、工艺气体精确分区节造等技术，同时设备建设了自动化上/下料
？榧耙患远疨M辅助职能，大幅提升颗
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目前，该设备已交付全球头部SiC表延晶片出产商瀚天天成，其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供，全面实现了国产化协同
。表延晶片产品在关键机能指标上阐发优异：表延层厚度不均匀性节造在3%以内，掺杂不均匀性节造在8%以内，2mm×2mm芯片良率大于96%，已达到行业当先水平
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未来，南宫NG28机电将持续秉持“打造半导体资料设备当先企业，发展绿色智能高科技造作产业”的使命，对峙创新驱动发展，以盛开合作的态度，与产业链高低游同伴协同创新，共同构建自主可控的第三代半导体产业生态系统，为实现高水平科技自立自强、建设造作强国贡献坚实的产业力量
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